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    大電流場效應(yīng)管型號 大功率MOS管型號封裝大全-原廠正品推薦-KIA MOS管

    信息來源:本站 日期:2019-02-22 

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    大電流場效應(yīng)管型號

    場效應(yīng)管簡介

    在了解大電流場效應(yīng)管型號之前,我們來了解一下場效應(yīng)管知識,它主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。


    場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。

    由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。


    大電流場效應(yīng)管的作用

    1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。


    2.場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。


    3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻。


    4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。


    5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。


    大電流場效應(yīng)管應(yīng)用

    1、交流/直流電源的同步整流


    2、直流電機驅(qū)動


    3、逆變器


    4、電池充電器和電池保護電路


    5、36V-96V系統(tǒng)中的馬達控制


    6、隔離的直流-直流轉(zhuǎn)換器


    7、不間斷電源


    大電流場效應(yīng)管型號

    以下為KIA半導(dǎo)體大電流場效應(yīng)管型號(部分),需咨詢更多型號請聯(lián)系我們,我們將竭誠為您服務(wù)!

    大電流場效應(yīng)管型號


    KIA半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計,集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。


    KIA半導(dǎo)體也執(zhí)行的全面質(zhì)量管理體系,是將所有產(chǎn)品質(zhì)量從芯片設(shè)計開始,一直貫徹到客戶使用的全過程質(zhì)量跟蹤和監(jiān)控。我們確定在這一質(zhì)量控制體系下生產(chǎn)的產(chǎn)品,在相關(guān)環(huán)節(jié)的質(zhì)量狀態(tài)和信息都是有效控制,確保提供給客戶的產(chǎn)品是安全可靠的。

    大電流場效應(yīng)管型號


    大電流場效應(yīng)管擴展知識

    由于功率MOSFET熱穩(wěn)定性好,故比雙極型晶體管并聯(lián)連接簡單。可是并聯(lián)連接MOSFET用于高速開關(guān)則末必簡單,從現(xiàn)象看并聯(lián)連接會發(fā)生以下兩個問題:

    1) 電流會集中某一個器件中。


    2 ) 寄生振蕩。

    大電流場效應(yīng)管型號


    并聯(lián)連接方面的問題

    參數(shù)

    Lo:柵、導(dǎo)線電感

    LD:漏、導(dǎo)線電感

    LS:源、導(dǎo)線電感

    Cmi:密勒電容

    CGS:柵、源間電源

    ra:柵、電阻(多晶硅)


    (1)電流會集到某一個器件中

    這是由于并聯(lián)連接的器件中的某一個器件早于或遲于其它器件導(dǎo)通或斷開而引起的。導(dǎo)通、斷開的時刻差異是由于器件間的閾值電壓和正向傳輸導(dǎo)納等參數(shù)的差別而引起。圖1表明把具有不同VGS(th)和 g.f .s 的功率MOSFET并聯(lián)銜接時發(fā)生電流不平衡的一個比如。


    驅(qū)動級的輸出阻抗大的時候,電流不平衡的發(fā)生時刻由功率MOSFET的輸入電容Ciss而決議。另外,并聯(lián)連接的全部器件導(dǎo)通之后,流到各器件的電流與Rds(on)成反比 。


    ( 2 ) 寄生振蕩

    如把功率MOSFET的柵極直接并聯(lián)銜接,就常常發(fā)生寄生振蕩。如圖2所示,經(jīng)過各個器件的漏、柵間電容( 密勒電容 )和柵極引線電感構(gòu)成諧振電路 。關(guān)于這個諧振電路的Q,也即電抗器 ( L 、C ) 對電阻之比 (Q = i∞/ R ) 非常大,簡單發(fā)生寄生振蕩。

    從以下兩個方面采取辦法 :


    1)器材的挑選


    2)裝置上的考慮


    并聯(lián)連接及辦法

    ( 1) 把功率MOSFET用作開關(guān)器件時,無須過于慎重考慮,由于功率MOSFET的最大脈沖電流允許為直流額定值的 3-4倍,只需極力縮小驅(qū)動級的輸出阻抗就行.把功率MOSFET用在線性電路時,只挑選同一批產(chǎn)品是不行的 ,與雙極型晶體管一樣外加源電阻使之平衡是很有必要的.

    大電流場效應(yīng)管型號


    ( 2 )裝置辦法

    選用低電感布線是當(dāng)然的,但在并聯(lián)連接中僅用銅板是不行的 ,由于因公共阻擾發(fā)生的 電壓使柵、源間電壓不能平衡,為了防止這點,并聯(lián)連接的各個器件應(yīng)是徹底持平的布線,應(yīng)如圖3那樣用對稱的布線 ,但因裝置上的約束,不行能用對稱布錢時,這時同軸的(多股絞合線、帶狀線 ) 布線也是很有用的。如圖4那樣,經(jīng)過薄的絕緣膜把銅板制成的漏和源的布線。


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